И. Хабловски - Электроника в вопросах и ответах

На нашем литературном портале можно бесплатно читать книгу И. Хабловски - Электроника в вопросах и ответах, И. Хабловски . Жанр: Радиотехника. Онлайн библиотека дает возможность прочитать весь текст и даже без регистрации и СМС подтверждения на нашем литературном портале fplib.ru.
И. Хабловски - Электроника в вопросах и ответах
Название: Электроника в вопросах и ответах
Издательство: -
ISBN: нет данных
Год: -
Дата добавления: 13 февраль 2019
Количество просмотров: 353
Читать онлайн

Помощь проекту

Электроника в вопросах и ответах читать книгу онлайн

Электроника в вопросах и ответах - читать бесплатно онлайн , автор И. Хабловски
1 ... 75 76 77 78 79 80 ВПЕРЕД

В действительности передаваемая мощность меньше, поскольку в трансформаторе всегда имеются потери.

7

Подобные переходы электронов вызваны туннельным эффектом, зависящим от легирования и температуры перехода.

8

Движение электронов к аноду происходит в результате действия электрического поля в промежутке анод — катод, возникающего вследствие дополнительного источника постоянного напряжения.

9

Принято, что направление тока противоположно направлению движения электронов.

10

Точнее, если учесть напряжение на диоде, линия отсечки проходит на другом уровне, чем нулевая линия.

11

К коллектору транзистора типа n-р-n прикладывается «+» от источника постоянного напряжения, а типа р-n-р «-» — Прим. ред.

12

В отечественной литературе статические характеристики транзистора = φ·(Uкэ) приводятся чаще в зависимости от значения тока базы Прим. ред.

13

Электроны в транзисторе с каналом p-типа или дырки в транзисторе с каналом n-типа.

14

Искажения зависят от типа усилителя. В двухтактном усилителе мощности малые искажения можно получить при работе в классе В. В резонансном усилителе даже в классе С искажения могут быть малыми.

15

Это не относится к резонансным усилителям, которые могут давать малые искажения даже при заходе в область сеточных токов.

16

Степень интеграции в нашей литературе принято характеризовать количеством активных элементов (транзисторов) на кристалле. — Прим. ред.

17

Толщина пленок 1–2 мкм. — Прим. ред.

18

Толщина пленок в этом случае составляет 10–20 мкм и более. — Прим. ред.

19

Существуют также вакуумные декадные счетные лампы.

20

От англ. G (gain) усиление и B (bandwidth) ширина полосы

21

Произведение βfКu часто называют фактором обратной связи. — Прим. ред.

22

Речь идет о биполярных транзисторах. Полевые транзисторы имеют большое входное сопротивление — Прим ред.

23

В параметрических генераторах происходит преобразование энергии одной частоты в энергию колебаний другой частоты. — Прим. ред.

24

В этом случае выполняется условие баланса фаз. — Прим. ред.

25

Детектор называется линейным, если характеристика детектирования, устанавливающая связь между постоянной составляющей тока, диода и амплитудой входного сигнала, линейна. — Прим. ред.

26

Логические элементы, реализующие функции И, ИЛИ, НЕ, И — НЕ, ИЛИ — HЕ, относятся к одноступенчатой логике. — Прим. ред.

27

Классификацию интегральных микросхем и их обозначение можно найти в книге «Аналоговые и цифровые ИС» под ред. С. В. Якубовского Изд-во «Сов. радио». 1978 г. — Прим. ред.

28

В отечественной литературе вход S называют единичным входом триггepa, a R — нулевым. — Прим. ред.

29

К измерительным генераторам относятся и генераторы различных несинусоидальных колебаний. — Прим. ред.

30

Если время отпирания вентиля Тизм равно секунде или ее десятичным кратным.

1 ... 75 76 77 78 79 80 ВПЕРЕД
Комментариев (0)
×